Dieses G.Skill Dual-Channel Kit besteht aus zwei 4 GB DDR3-1600-Speichermodulen (PC3-12800, CL9). Die Gesamtkapazität beträgt 8 GB. Die 204-Pin Unbuffered SO-DIMM Module sind mit FBGA-Chips bestückt und besitzen vergoldete Kontakte. Das Kit ist geeignet für Notebooks und mobile Systeme mit DDR3-SO-DIMM-Support.
Technische Infos:
Kapazität | 8 GB (2x 4 GB) |
Module | 2 Stück; Bestückung: zweiseitig |
Speicherchip | 32 (16 pro Modul); Datendichte: 2048 Mbit pro Speicherchip; Organisation: 256M x 8 |
Bauform | SO-DIMM |
Anschluss | 204-Pin |
Typ | SDRAM-DDR3 |
Spannung | 1,5 Volt (von 1,425 - 1,575 Volt) |
Standard | DDR3-1600 (PC3-12800) |
Takt | 800 MHz |
Timings | 9 CAS Latency (CL); 9 RAS-to-CAS-Delay (tRCD); 9 RAS-Precharge-Time (tRP); 28 Row-Active-Time (tRAS) |
Kundenbewertungen für "G.Skill SO-DIMM 8 GB DDR3-1600 Kit, RAM"
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