Dieses G.Skill Dual-Channel Kit besteht aus zwei 2-GB-DDR3-1600-Speichermodulen in SO-DIMM-Bauform (PC3-12800). Die Gesamtkapazität beträgt 4 GB. Die Module sind auf Latenzen von 9-9-9-28 bei 1600 MHz programmiert und verfügen über vergoldete Kontakte.
Technische Infos:
Serie | SQ |
Kapazität | 4 GB (2x 2 GB) |
Module | 2 Stück |
Bauform | DIMM |
Anschluss | 204-Pin |
Typ | SDRAM-DDR3 |
Spannung | 1,5 Volt (von 1,425 - 1,575 Volt) |
Standard | DDR3-1600 (PC3-12800) |
Timings | 9 CAS Latency (CL); 9 RAS-to-CAS-Delay (tRCD); 9 RAS-Precharge-Time (tRP); 28 Row-Active-Time (tRAS) |
Kundenbewertungen für "G.Skill SO-DIMM 4 GB DDR3-1600 Kit"
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