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Samsung 860 EVO MZ-N6E250BW 2 TB, SSD

SATA 6 GB/s, M.2, intern
Samsung

Hersteller-Nr.MZ-N6E2T0BW

Artikel-Nr.CZSP3040

Kapazität: 2 TB

Formfaktor: Steckkarte

Lesen/Schreiben: 550 MB/s | 530 MB/s

Sofort lieferbar, 1-2 Tage
293,63 € *
 
 
 
 
 

Der Nachfolger derweltweit extrem erfolgreichen 850-EVO- Serie ist die Samsung SSD 860 EVO. Dasneue Laufwerk wurde speziell für Notebooks und PCs konzipiert, basiert auf derneuesten V-NAND Speichertechnologie und einem auf die Verarbeitung speziellerAlgorithmen optimierten Controller. Das neue SSD-Modell bietet dadurch einesehr hohe Leistung und ist in verschiedenen Kapazitäten und Formfaktorenerhältlich. Die 860 EVO Seriebietet auch unter hohen Arbeitslasten und Multitasking-Szenarien einkonsistenteres Leistungsprofil im Vergleich zu den Vorgängermodellen dieserSerie. Die Samsung SSD 860 EVO schreibt Dank TurboWrite-Technologie mit bis zu520 MB/s und liest Daten mit bis zu 550 MB/s. Bearbeiten und speichern Sieumfangreiche 4K-UHD-Videos oder 3D-Daten in aktuellen Anwendungen, ohne sichGedanken über die Haltbarkeit des Laufwerks machen zu müssen. DieSolid-State-Drivers der SSD 860 EVO-Familie bieten mit bis zu 2.400 TB TBW(Total Bytes Written) bei seinem größten Modell eine bis zu acht Mal höhere  Gesamtschreibdatenmenge als das VorgängermodellSSD 850 EVO. Ganz gleich, welchesLaufwerksformat Ihr System benötigt: eine der Varianten der SSD 860 EVO passtbestimmt auch in Ihr System: zur Verfügung stehen 2,5”-Modelle für PCs undNotebooks, SATA-basierte M.2-Module nach M.2 2280-Standard sowiemSATA-Varianten für Ultrabooks.

 

Technische Infos:

Serie

860 EVO

Bauart

Intern

Formfaktor

Steckkarte

Kapazität

2 TB

Anschlüsse

1x M.2

Interface

SATA

Datentransferraten

Lesen

Schreiben

550 MB/s;

520 MB/s

Cache

2048 MB

Chiptyp

TLC

Controller

Samsung MJX Controller

Stromverbrauch

Lesen/Schreiben

Ruhezustand

3 W;

0,05 W

IOPS

Lesen

Schreiben

97.000;

88.000

MTBF

1.500.000 Stunden

Abmessungen (BxHxT)

22,15 x 2,38 x 80,15 mm

Gewicht

8 g

 

 

 

Features

Intelligent TurboWrite mit SLC-Schreibpuffer;

V-NAND-Technologie mit 64 Layern; AES-256-Bit-Verschlüsselung;

GC (Garbage Collection);

TRIM- und SMART Unterstützung

 

 

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